研究领域
集成电路科学与工程

招生信息

博士

招生领域（一级学科）

集成电路科学与工程

研究方向

氮化镓功率器件与系统集成（GaN HEMT）

CMOS器件与工艺

新型超高密度存储器

电子陶瓷

教育背景

2001.01--2004.05  新加坡国立大学电机与计算机工程系博士学位
1999.07--2000.12  加拿大多伦多大学材料系硕士学位
1994.09--1999.07  清华大学材料系学士学位

工作经历

2024.11--至今，深圳职业技术大学集成电路学院，二级教授
2019.06--2024.09，南方科技大学深港微电子学院，院长
2011.10--至今，南方科技大学，教授
2008.01--2011.10，新加坡南洋理工大学电子与电工工程学院微电子系，助理教授；纳米器件实验室，副  主任
2004.05--2008.01，比利时鲁汶IMEC（全球著名微纳电子研发中心），资深研究员及项目负责人
2003.01--2004.05，新加坡国立大学电机系，研发工程师

社会兼职

2018--至今，王阳元《集成电路工业全书》，编委会委员
专利与奖励
于洪宇教授发表/被授予近34项美国/欧洲专利以及80项以上国内专利。

专利成果（代表性专利）
（ 1 ） 一种GaN器件及其制备方法, 发明, 2021, 第 3作者, 专利号: ZL202110745865.0

（ 2）去加重式连续时间线性均衡器架构,发明, 2021, 第 2作者, 专利号:202110361980.8

（ 3）三维模组的制造方法, 发明, 2021, 第 2作者, 专利号:17/539,040

（ 4）Multi-Bit-Per-Cell Three-Dimensional Resistive Random-Access Memory (3D-RRAM),发明, 2020, 第 4作者, 专利号:16/921,879

（ 5）具有栅极静电防护结构的高电子迁移率晶体管及制作方法，发明，2020，第 3作者, 专利号:202010929206.8

（ 6）一种高能效的均衡器架构,发明，2021, 第 2作者, 专利号: 202110766482.1

（ 7）Three-Dimensional Module with Integrated Passive Components，发明，2020, 第 2作者,专利号：16/926,606,

（ 8）一种环形振荡器, 发明，2021, 第 2作者, 专利号: 202110806166.2

（ 9）一种双转单驱动电路, 发明，2021，第2作者，专利号：202110363379.2

（ 10）Electrostatic Discharge (ESD) Protection Circuits, 发明，2022，第3作者，专利号：17/721,312

奖励
（1）2024年 入选全球前2%顶尖科学家终身科学影响力排行榜
（2）2022年 中国发明创业奖创新奖二等奖  
（3）2021年 广东省课程思政改革示范项目
（4）2019年 广东省科技创新领军人才
（5）2016年 南方科技大学杰出科研奖
（6）2014年 鹏城学者特聘教授
（7）2012年 深圳市政府特殊津贴
（8）2012年 Senior Member of IEEE
（9）2012年 英国工程技术学会会士
（10）2011年 国家特聘专家（青年）
（11）2009年 陈振传学术交流奖
（12）2008年 “南洋”助理教授奖
（13）2007年 Tech Sym.VLSI会议亮点文章
（14）2004年 IEEE电子器件协会博士生奖学金

出版信息
于洪宇教授发表学术论文近450篇，其中近250篇被SCI收录，总他引次数近6500次，H影响因子为46，编辑2本书籍并撰写了4本专业书籍的章节。

发表论文（近两年代表性论文）
（1）ChenKai Deng, Wei-Chih Cheng, XiGuang Chen, KangYao Wen, MingHao He, ChuYing Tang, PeiRan Wang, Qing Wang*, and Hongyu Yu*. "Current collapse suppression in AlGaN/GaN HEMTs using dual-layer SiNx stressor passivation". Appl. Phys. Lett. 122, 232107 (2023)

（2）ChuYing Tang, Chun Fu, Yang Jiang, ChenKai Deng, KangYao Wen, JiaQi He, PeiRan Wang, Fangzhou Du, Yi Zhang, Qing Wang*, and HongYu Yu*. "Carrier transport mechanism of Mg/Pt/Au ohmic contact on p-GaN/AlGaN/GaN platform with ultra-low resistivity". Appl. Phys. Lett. 123, 092104 (2023).

（3）JiaQi He, KangYao Wen, PeiRan Wang, MingHao He, FangZhou Du, Yang Jiang, ChuYing Tang, Nick Tao, Qing Wang*, Gang Li*, HongYu Yu*. "Interface charge engineering on an in situ SiNx/AlGaN/GaN platform for normally off GaN MIS-HEMTs with improved breakdown performance". Appl. Phys. Lett. 123, 103502 (2023).

（4）Yi Deng, Yi Zhang, Xinyuan Zhang, Yang Jiang, Xi Chen, Yansong Yang, Xin Tong, Yao Cai, Wenjuan Liu, Chengliang Sun, Dashan Shang, Qing Wang*, Hongyu Yu*, Zhongrui Wang*. MEMS Oscillators-Network-Based Ising Machine with Grouping Method. Advanced Science. 2024, 11, 2310096.

（5）Minghao He, Kangyao Wen, Chenkai Deng, Mujun Li, Yifan Cui, Qing Wang*, Hongyu Yu* and Kah-Wee Ang*, "Charge Trapping Layer Enabled Normally-Off β-Ga2O3 MOSFET", IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70, (6):3191-3195.

（6）Yang Jiang, Dingchen Wang, Ning Lin, Shuhui Shi, Yi Zhang, Shaocong Wang, Xi Chen, Hegan Chen, Yinan Lin, Kam Chi Loong, Jia Chen, Yida Li, Renrui Fang, Dashan Shang*, Qing Wang*, Hongyu Yu* and Zhongrui Wang*. “Spontaneous Threshold Lowering Neuron using Second-Order Diffusive Memristor for Self-Adaptive Spatial Attention”, Advanced Science, 2023, 2301323.

（7）Hongye Chen, Tianqing Wan, Yue Zhou, Jianmin Yan, Changsheng Chen, Zhihang Xu, Songge Zhang, Ye Zhu, Hongyu Yu*, and Yang Chai*. "Highly nonlinear memory selectors with ultrathin MoS2/WSe2/MoS2 heterojunction", Advanced Functional Materials, 2023, 202304242. DOI: 10.1002/adfm.202304242.

（8）Yang Jiang, Shuhui Shi, Shaocong Wang, Fangzhou Du, Peiran Wang, Ning Lin, Wennao Li, Yi Zhang, Leiwei He, Robert Sokolovskij, Jiaqi He, Mujun Li, Dingchen Wang, Xi Chen, Qing Wang*, Hongyu Yu*, Zhongrui Wang*, In-sensor reservoir computing for gas pattern recognition using Pt-AlGaN/GaN HEMTs, Device, 2024, 100550, ISSN 2666-9986, https://doi.org/10.1016/j.device.2024.100550.

（9）Chuying Tang, Chun Fu, Fangzhou Du, Chenkai Deng, Yang Jiang, Kangyao Wen, Yi Zhang, Jiaqi He, Wenmao Li, Qiaoyu Hu, Peiran Wang, Nick Tao, Qing Wang*, HongYu Yu*, A robust Ni/Au process and mechanism for p-type ohmic contact applied to GaN p-FETs, Journal of Alloys and Compounds, Volume 978, 2024, 173499, ISSN 0925-8388, https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2024.173499.

（10）Jiang, Yang, Wenmao Li, Fangzhou Du, Robert Sokolovskij, Yi Zhang, Shuhui Shi, Weiguo Huang, Qing Wang*, Hongyu Yu*, and Zhongrui Wang*. "A comprehensive review of gallium nitride (GaN)-based gas sensors and their dynamic responses." Journal of Materials Chemistry C 11, no. 30 (2023): 10121-10148.

发表著作
1.专著

（1）H.Y. Yu, ""Hafnium: Chemical Characteristics, Production and Applications". Nova Science Publishers, 2014.pp. 1-161

（2）H.Y. Yu, "Gallium Nitride Power Devices,” Pan Stanford Publishing, 2017； ISBN:978-981-4774-09-3 （Hardcover）    ISBN:978-1-315-19662-6(eBook)

2.书籍章节

（1）H.Y. Yu, "Metal Gate Electrode and High-K Dielectrics for Sub-32nm Bulk CMOS Technology: Integrating Lanthanum Oxide (LaOx-) Capping Layer for Low-Vth Application", book chapter in "Solid State Circuits Technologies", ISBN 978-953-307-045-2, Ed. Jacobus W. Swart, IN-TECH, Jan. 2010

（2）J.S. Li, H.Y. Yu, “Enhancement of Si-based solar cell efficiency via nanostructure integration”, book chapter in “Energy Efficiency and Renewable Energy through Nanotechnology”, ISBN, 978-0-85729-637-5: .3-56, Ed. L. Zang, Springer, 2011

（3）D.L. Kwong, Y. Sun, H.Y. Yu, N. Singh, P. Lo, “Ultra-high Density Non-volatile Flash Memory Devices Realized on CMOS Si Nanowires,” book chapter in “Nonvolatile Memories: Materials, Devices and Applications,” Ed.  Tseung-Yuen Tseng, and Simon M. Sze, American Academic Press, 2011

（4）H.Y. Yu, Z.R. Wang, “Kano-scale Resistive Random Access Memory: Materials, Devices and Circuits,” book chapter in “Applied nanotechnologies”, Edited by Kris Iniewski, CRS Press, 2013

科研活动

科研项目
（1）基于原位氮化硅钝化和选区再生长凹栅技术的GaN常关型功率器件制备及其可靠性研究，主持，国    家级，2023-01-01--2026-12-31
（2）极大规模集成电路制造装备及成套工艺：14-1，课题负责人，国家级，2013-01-01--2016-12-30
（3）Si衬底上GaN基功率器件的关键技术研究及应用，主持，省级，2019-04-01--2022-03-31
（4）物联网芯片优化升级关键技术研究与产品研发，课题负责人，省级，2019-04-01--2022-03-31
（5）新能源汽车驱动及其充电桩专用芯片研发及产业化项目，课题负责人，省级， 2019-04-01--2023-04-01
（6）基2020N237 GaN功率和射频器件制备技术及其机理研究，主持，市级，2020-11-05--2023-11-04
（7）基20220017 氮化镓功率器件可靠性研究，主持，市级，2022-10-28--2025-10-31
（8）卓胜微先进射频器件联合实验室，主持，其他，2022-04-02--2025-04-01
（9）能源物联感知联合实验室，主持，其他，2020-01-01--2025-12-31

指导学生

已指导学生

雷思琦 硕士研究生  微电子学与固体电子学

陈玺光 硕士研究生  080900-电子科学与技术

林新鹏 硕士研究生  微电子学与固体电子学

廖丽娜 硕士研究生  080900-电子科学与技术

高荣宇 硕士研究生  085600-材料与化工

陈天成 硕士研究生  085204-材料工程

詹家立 硕士研究生  085600-材料与化工

薛文卓 硕士研究生  085600-材料与化工

郑韦志  博士研究生  电子与计算机工程

周广楠  博士研究生  材料工程

唐楚滢  博士研究生  085400-电子信息

何明浩  博士研究生  电子与计算机工程

何佳琦  博士研究生  电机及电子工程

现指导学生

陈 龙 硕士研究生  085403-集成电路工程

杜方洲 硕士研究生  080900-电子科学与技术

梁凯杰 硕士研究生  080900-电子科学与技术

马晓伟 硕士研究生  087300-集成电路科学与工程

王子扬 硕士研究生  085403-集成电路工程

赵 琦 硕士研究生  085403-集成电路工程

甘与甜 硕士研究生  085403-集成电路工程

首 涛 硕士研究生  080900-电子科学与技术

王沛然 硕士研究生  140100-集成电路科学与工程

陈泓烨  博士研究生  应用物理

李汶懋  博士研究生  085272-先进制造

焦  惠  博士研究生  材料科学与工程‌

史书慧  博士研究生  电机及电子工程

邓宸凯  博士研究生  085400-电子信息

崔一帆  博士研究生  070200-物理学

胡乔宇  博士研究生  080900-电子科学与技术

汪晓慧  博士研究生  070200-物理学

李沐峻  博士研究生  080900-电子科学与技术